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Intel y Micron presentan la tecnología NAND de 25 nanómetros

02 Febrero 2010

Intel y Micron han presentado la primera tecnología mundial de proceso NAND de 25 nanómetros capaz de ofrecer mayor capacidad de almacenamiento en los dispositivos de consum o en los discos de estado sólido .

IM Flash Technologies (IMFT), la empresa conjunta de Intel y Micron establecida para desarrollar la memoria flash NAND, se encargará de su fabricación. El dispositivo de 25nm y 8GB ya se encuentra en la fase de muestra y su producción de forma generalizada podría iniciarse en el segundo trimestre de 2010.

La memoria flash NAND almacena datos y pueden retener la información incluso cuando los equipos están desconectados. El proceso de 25 nm es la tecnología de semiconductores más reducida del mundo. De hecho, esta solución mide tan sólo 167 mm2 y cabe en el agujero situado en mitad de un disco compacto (CD), aunque tiene capacidad para guardar más de 10 veces la cantidad de datos de un CD estándar (que puede contener 700 megabytes de datos).

Además, el nuevo dispositivo de 25nm y 8GB reduce el número de chips en un 50 por ciento en comparación con las generaciones de proceso anterior, lo que permite unos diseños más pequeños, con mayor densidad y un mayor ahorro. De esta manera, podemos ahora contar con una unidad de estado sólido de 256GB con tan sólo 32 dispositivos de este tipo (en vez de los 64 necesarios hasta la fecha), un smartphone de 32GB tan sólo necesita cuatro, y una tarjeta flash de 16GB precisa únicamente dos.

Intel y Micron han duplicado la densidad de la tecnología NAND aproximadamente cada 18 meses, para lograr unos productos más pequeños, más rentables y con mayor capacidad. IMFT comenzó la producción con el proceso de 50 nm en 2006, seguido de un proceso de 34 nm en 2008. El proceso actual de 25 nm emplea la litografía de semiconductores más pequeña disponible en el sector.

“Esta tecnología de producción va a ofrecer unos beneficios importantes a nuestros clientes gracias al desarrollo de unas soluciones de medios de mayor densidad” confirma Brian Shirley, vicepresidente del grupo de Memoria en Micron.

En opinión de Tom Rampone, vicepresidente y director general del Grupo de Soluciones NAND en Intel, “esto nos va a servir de ayuda para acelerar la adopción de unas soluciones de discos duros de estado sólido para informática”.

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